IPB023N06N3 G,IPB023N06N3 G|Infineon Technologies代理分销-IPB023N06N3G全新原装货

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IPB023N06N3GATMA1 库存编号:IPB023N06N3GATMA1TR-ND Infineon Technologies AG 询价查看资料	0 起订 6-10天		询价
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型号/制造商

IPB023N06N3 G
Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6

RoHS: Compliant

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IPB023N06N3G
Infineon Technologies AG

140 A, 60 V, 0.0023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263

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	IPB023N06N3 G Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 查看详细
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制造商型号： IPB023N06N3 G
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	IPB023N06N3 G
产品相片	TO-263-7, D2Pak
产品变化通告	Product Discontinuation 26/Jul/2012
标准包装	1,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	OptiMOS™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	140A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 141µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	198nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	16000pF @ 30V
功率 - 最大值	214W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装	PG-TO263-7
其它名称	IPB023N06N3 G-ND SP000453048

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