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IPA65R600C6|Infineon Technologies
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制造商型号: IPA65R600C6
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
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产品信息
数据列表 IPx65R600C6
产品相片 TO-220AB
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)600 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)440pF @ 100V
功率 - 最大值28W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装PG-TO220 整包
其它名称IPA65R600C6XKSA1
SP000850502
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