声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
-
晶体管极性:
N沟道
-
电流, Id 连续:
6.1A
-
漏源电压, Vds:
650V
-
在电阻RDS(上):
600mohm
-
电压 @ Rds测量:
10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
3V
-
功耗, Pd:
28W
-
工作温度最小值:
-55°C
-
工作温度最高值:
150°C
-
封装类型:
TO-220
-
针脚数:
3
-
MSL:
(Not Applicable)
-
封装/箱盒:
TO-220
-
工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
-
晶体管类型:
功率MOSFET
-
漏极电流, Id 最大值:
6.1A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
-
电压, Vds 典型值:
650V
-
电压, Vgs 最高:
20V
-
表面安装器件:
通孔
产地:
MY
Malaysia
询价