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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： HN4B102J(TE85L,F
制造商： Toshiba
描述： NPN/PNP 晶体管，双，30V 2A SMV
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： NPN/PNP 晶体管，双，30V 2A SMV
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 封装类型 | 2-3L1A | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 1.1mm | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管类型 | NPN，PNP | |
| 最大功率耗散 | 1.1 W | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 (NPN) V，-7 (PNP) V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 (NPN) V，-1.1 (PNP) V | |
| 最大直流集电极电流 | -1.8 (PNP) A，2 (NPN) A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 (NPN) V，-30 (PNP) V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.14 (NPN) V，-0.20 (PNP) V | |
| 最大集电极-基极电压 | -30 (PNP) V，60 (NPN) V | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | MOS 栅极驱动器和开关 | |
| 配置 | 共发射极 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.1mm |
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