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制造商型号: HN4B102J(TE85L,F
制造商: Toshiba
描述: NPN/PNP 晶体管,双,30V 2A SMV
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
安装类型表面贴装
宽度1.6mm
封装类型2-3L1A
尺寸2.9 x 1.6 x 1.1mm
引脚数目5
晶体管类型NPN,PNP
最大功率耗散1.1 W
最大发射极-基极电压7 (NPN) V,-7 (PNP) V
最大基极-发射极饱和电压1.1 (NPN) V,-1.1 (PNP) V
最大直流集电极电流-1.8 (PNP) A,2 (NPN) A
最大集电极-发射极电压30 (NPN) V,-30 (PNP) V
最大集电极-发射极饱和电压0.14 (NPN) V,-0.20 (PNP) V
最大集电极-基极电压-30 (PNP) V,60 (NPN) V
最小直流电流增益40
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别MOS 栅极驱动器和开关
配置共发射极
长度2.9mm
高度1.1mm
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