您现在的位置:首页 > HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)|Toshiba
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: HN4B01JE(TE85L,F)
制造商: Toshiba
描述: 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Toshiba
产品种类:两极晶体管 - BJT
RoHS: 符合
配置:Dual
晶体管极性:NPN/PNP
集电极—基极电压 VCBO:60 V @ NPN or 50 V @ PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:0.15 A
增益带宽产品fT:80 MHz (Min)
直流集电极/Base Gain hfe Min:120 at 2 mA at 6 V
最大工作温度:+ 150 C
最大功率耗散:100 mW
封装:Reel
工厂包装数量:4000
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095