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HGTG18N120BN|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: HGTG18N120BN
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT NPT N-CH 1200V 54A TO-247
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产品信息
数据列表 HGTG18N120BN
产品相片 TO-247-3
PCN Design/Specification Plating Material 20/Dec/2007
标准包装  300
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  管件  
IGBT 类型NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.7V @ 15V,18A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)54A
Current - Collector Pulsed (Icm)160A
功率 - 最大值390W
Switching Energy800µJ (开), 1.8mJ (关)
输入类型标准
Gate Charge165nC
Td (on/off) A 25°C23ns/170ns
Test Condition960V, 18A, 3 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)17ns
封装/外壳TO-247-3
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247
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