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HGT1S20N60A4S9A|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: HGT1S20N60A4S9A
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
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产品信息
数据列表 HGT1S20N60A4S9A
产品相片 TO-263
PCN Obsolescence Multiple Devices 14/Mar/2011
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  管件  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.7V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)70A
Current - Collector Pulsed (Icm)280A
功率 - 最大值290W
Switching Energy105µJ (开), 150µJ (关)
输入类型标准
Gate Charge182nC
Td (on/off) A 25°C15ns/73ns
Test Condition390V, 20A, 3 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)-
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-263AB
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