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HAT2195R-EL-E|Renesas Electronics America
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制造商型号: HAT2195R-EL-E
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
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产品信息
数据列表 HAT2195R
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)18A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.8 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)23nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3400pF @ 10V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
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