数据列表 | GT60N322 |
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标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1000V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.9V @ 15V,60A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 57A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
功率 - 最大值 | 200W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | - |
Td (on/off) A 25°C | 450ns/410ns |
Test Condition | 600V, 60A, 51 欧姆 |
反向恢复时间 (trr) | 750ns |
封装/外壳 | TO-3PL |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P(LH) |