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GA03JT12-247|GeneSiC Semiconductor
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制造商型号: GA03JT12-247
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
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产品信息
数据列表 GA03JT12-247
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能超级结
漏源极电压 (Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A (Tc) (95°C)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)460 毫欧 @ 3A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值91W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装TO-247AB
其它名称1242-1164
GA03JT12247
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