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FQU13N06TU|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FQU13N06TU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
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产品信息
数据列表 FQD13N06, FQU13N06
产品相片 DPAK_369D?01
标准包装  5,040
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)10A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)140 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)310pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装I-Pak
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