  |
  |
| 型号/制造商 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Rail/Tube (Alt: FQPF7N80C) RoHS: Compliant 搜索 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail (Alt: FQPF7N80C) RoHS: Compliant 搜索 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail (Alt: FQPF7N80C) RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
搜索 |
| 型号/制造商 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
搜索 |
| 型号/制造商 |
| FQPF7N80C ON Semiconductor MOSFET, N-CH, 800V, 6.6A, TO-220F-3
搜索 |
| 型号/制造商 |
| FQPF7N80C Fairchild Semiconductor Corporation
搜索 |
| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| FQPF7N80C Fairchild Semiconductor | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | FQPF7N80C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | FQPF7N80C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| FQPF7N80C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F 暂无PDF 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
FQPF7N80C | 2453910 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V  (EN) |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： FQPF7N80C 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-5310 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F 详细描述：通孔 N 沟道 6.6A（Tc） 56W（Tc） TO-220F 型号：FQPF7N80C 仓库库存编号：FQPF7N80C-ND | |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 数据列表 | FQP7N80C, FQPF7N80C |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Passivation Material 26/June/2007 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.9 欧姆 @ 3.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 56W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |