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制造商型号: FQPF63
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,200V,6.3A,TO220F
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间47 ns
典型接通延迟时间8 ns
典型栅极电荷@Vgs19 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds420 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.7mm
封装类型TO-220F
尺寸10.16 x 4.7 x 9.19mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散38000 mW
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压200 V
最大漏源电阻值0.4 Ω
最大连续漏极电流6.3 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.16mm
高度9.19mm
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