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FQPF3N80C|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FQPF3N80C
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
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产品信息
数据列表 FQP3N80C, FQPF3N80C
产品相片 TO-220AB
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
PCN Design/Specification Passivation Material 26/June/2007
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)705pF @ 25V
功率 - 最大值39W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220F
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