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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FQP8P10
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 TO-220
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 TO-220
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P沟道 TO-220
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 8A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 410mohm
- 电压 @ Rds测量: -10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -4V
- 功耗, Pd: 65W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- MSL: (不适用)
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 器件标记: FQP8P10
- 封装/箱盒: TO-220
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 漏极电流, Id 最大值: -8A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
- 电压, Vds 典型值: -100V
- 电压, Vgs 最高: -30V
- 电流, Idm 脉冲: 32A
- 表面安装器件: 通孔
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