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FQP19N10L Fairchild Semiconductor Corporation
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FQP19N10 Fairchild Semiconductor | 查看库存、价格及货期 |
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FQP19N10 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 查看详细 | |
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Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3 型号:FQP19N10 仓库库存编号:FQP19N10-ND | 无铅 | |
Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3 型号:FQP19N10L 仓库库存编号:FQP19N10L-ND | 无铅 |
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数据列表 | FQP19N10 |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 19A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 9.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 780pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 75W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |