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FQP10N60C_Q
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
FQP10N60C_Q
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Fairchild Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
否
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
600 V
闸/源击穿电压:
+/- 30 V
漏极连续电流:
9.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
730 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220AB
封装:
Tube
下降时间:
77 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
156 W
上升时间:
69 ns
典型关闭延迟时间:
144 ns
询价
*所需产品:
型号: FQP10N60C_Q 品牌: Fairchild Semiconductor 备注: MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
*联系人:
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备注内容:
电脑版
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电话:
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