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制造商型号: FQI3N30TU
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
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产品信息
数据列表 FQB3N30, FQI3N30
D2-PAK Tape and Reel Data
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.2A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.2 欧姆 @ 1.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)230pF @ 25V
功率 - 最大值3.13W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
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