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FQD2N100TF|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FQD2N100TF
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
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产品信息
数据列表 FQD2N100, FQU2N100
D-PAK Tape and Reel Data
产品相片 TO-263
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9 欧姆 @ 800mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)520pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
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