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场效应管 MOSFET N D-PAK
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
9A
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漏源电压, Vds:
200V
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在电阻RDS(上):
280mohm
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阈值电压, Vgs th 典型值:
5V
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功耗, Pd:
2.5W
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封装类型:
TO-252
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (20-Jun-2013)
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SMD标号:
FQD12N20
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封装/箱盒:
DPAK
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封装类型, 其它:
D-PAK
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
200V
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电流, Idm 脉冲:
36A
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阈值电压, Vgs th 最高:
5V
产地:
KR
Korea (Republic of)