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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FQB55N10
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N D2-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N D2-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N D2-PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 55A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 26mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
- 功耗, Pd: 155W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-263
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
- SMD标号: FQB55N10
- 功耗(于1平方英寸PCB): 3.75W
- 功耗, Pd: 155W
- 功耗, Pd: 155W
- 封装/箱盒: D2-PAK
- 封装类型, 其它: D2-PAK
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
- 漏极电流, Id 最大值: 55A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds: 100V
- 电压, Vds 典型值: 100V
- 电压, Vgs 最高: 25V
- 电流, Idm 脉冲: 220A
- 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
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