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FQB34N20TM_AM002|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FQB34N20TM_AM002
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
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产品信息
数据列表 FQB34N20, FQI34N20
D2-PAK Tape and Reel Data
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)31A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)75 毫欧 @ 15.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3100pF @ 25V
功率 - 最大值3.13W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D²PAK
产品目录页面1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FQB34N20TM_AM002TR
FQB34N20TMAM002
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