  |
  |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FQB1N60TM
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | D2-PAK Tape and Reel Data FQB1N60, FQI1N60 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11.5 欧姆 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.13W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
询价