  |
  |
您现在的位置：首页 > FQB19N20LT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FQB19N20LT
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N沟道，200V，21A，D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N沟道，200V，21A，D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 130 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 27 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1700 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3130 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.14 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
询价