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FQA6N90_F109|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FQA6N90_F109
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
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产品信息
数据列表 FQA6N90_F109
产品相片 TO-3P-3,TO-247-3
标准包装  0
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.9 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1880pF @ 25V
功率 - 最大值198W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN
其它名称FQA6N90-F109
FQA6N90-F109-ND
Q3402555
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