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制造商型号: FQA10N80C_F10
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,800V,10A,TO-3P(N)
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间90 ns
典型接通延迟时间50 ns
典型栅极电荷@Vgs45 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2150 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度5mm
封装类型TO-3PN
尺寸15.8 x 5 x 18.9mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散240000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压800 V
最大漏源电阻值1.1 Ω
最大连续漏极电流10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.8mm
高度18.9mm
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