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制造商型号: FGA30N60LSDT
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: 晶体管,IGBT,N沟道,600V,60A,TO-3P(N)
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产品信息
安装类型通孔
宽度5mm
封装类型TO-3PN
尺寸15.8 x 5 x 18.9mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散480 W
最大栅极发射极电压±20V
最大连续集电极电流60 A
最大集电极-发射极电压600 V
最高工作温度+150 °C
通道类型N
配置
长度15.8mm
高度18.9mm
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