典型关断延迟时间 | 8 ns | |
典型接通延迟时间 | 6(N 通道)ns, 6(P 通道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 4.5 V(P 沟道),8 nC @ 4.5 V(N 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 100 pF @ 10 V(P 沟道),60 pF @ 10 V(N 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.2mm | |
封装类型 | SC-89,SOT-563F | |
尺寸 | 1.6 x 1.2 x 0.5mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 625 mW | |
最大栅源电压 | ±12(N 通道)V,±8(P 通道)V | |
最大漏源电压 | 20 V | |
最大漏源电阻值 | 0.7(N 通道)Ω,1.2(P 通道)Ω | |
最大连续漏极电流 | 0.35(P 通道)A,0.6(N 通道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双 | |
长度 | 1.6mm | |
高度 | 0.5mm |