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FDU068AN03L|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FDU068AN03L
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
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产品信息
数据列表 FDD068AN03L, FDU068AN03L
产品相片 DPAK_369D?01
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)17A (Ta), 35A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.7 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2525pF @ 15V
功率 - 最大值80W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装I-Pak
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