  |
  |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FDT457N
制造商： FAIRCHILD
描述： FDT457N 系列 30V 0.06Ohm N沟道 增强模式 场效应晶体管-SOT-223
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： FAIRCHILD
描述： FDT457N 系列 30V 0.06Ohm N沟道 增强模式 场效应晶体管-SOT-223
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | FDT457N |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 60 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.9nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 235pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 产品目录页面 | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDT457N-ND FDT457NTR |
询价