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FDS8884|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FDS8884
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
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产品信息
数据列表 FDS8884
产品相片 8-SOIC
PCN Design/Specification Mold Compound 12/Dec/2007
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)23 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)635pF @ 15V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
产品目录页面1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FDS8884TR
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