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FDS2070N3|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FDS2070N3
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
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产品信息
数据列表 FDS2070N3
产品相片 8-SOIC Exp Pad 21-0111
PCN Obsolescence Multiple Devices 03/Dec/2009
PCN Design/Specification Mold Compound 27/March/2008
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.1A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)78 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1884pF @ 75V
功率 - 最大值1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸焊盘
供应商器件封装8-SO
其它名称FDS2070N3_NL
FDS2070N3_NLTR
FDS2070N3_NLTR-ND
FDS2070N3TR
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