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制造商型号: FDMS86102L
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,100V,7A,Power 56
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间19 ns
典型接通延迟时间6.7 ns
典型栅极电荷@Vgs16 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds979 pF V @ 50
安装类型表面贴装
宽度6mm
封装类型PQFN
尺寸5 x 6 x 1.05mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散69 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值31.2 mΩ
最大连续漏极电流37 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、三源
长度5mm
高度1.05mm
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