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制造商型号: FDMS3602
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,双,N沟道,25V,15A/26A,Power 56
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间19(晶体管 1)ns,31(晶体管 2)ns
典型接通延迟时间12(晶体管 2)ns,7.9(晶体管 1)ns
典型栅极电荷@Vgs19 nC V @ 0 → 10(晶体管 1),45 nC V@0 → 10(晶体管 2)
典型输入电容值@Vds1264 pF @ 13 V(晶体管 1),3097 pF @ 13 V(晶体管 2)
安装类型表面贴装
宽度6mm
封装类型Power 56
尺寸5 x 6 x 1.05mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.2(晶体管 1)W,2.5(晶体管 2)W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压25 V
最大漏源电阻值3.9(晶体管 2)mΩ,8.7(晶体管 1)mΩ
最大连续漏极电流135(晶体管 2)A,65(晶体管 1)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置三漏极
长度5mm
高度1.05mm
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