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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FDMQ820
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N/P沟道，100V/80V，3.4A/2.6A，MLP12EP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，N/P沟道，100V/80V，3.4A/2.6A，MLP12EP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 22（晶体管 2 和 3）ns，7.5（晶体管 1 和 4）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.8（晶体管 1 和 4）ns，4.7（晶体管 2 和 3）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC V @ 0 → -10（晶体管 2 和 3），2.9 nC V @ 0 → 10（晶体管 1 和 4） | |
| 典型输入电容值@Vds | 158 pF @ 50 V（晶体管 1 和 4），639 pF @ -40 V（晶体管 2 和 3） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 封装类型 | MLP | |
| 尺寸 | 5 x 4.5 x 0.75mm | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100（晶体管 1 和 4）V，-80（晶体管 2 和 3）V | |
| 最大漏源电阻值 | 191（晶体管 1 和 4）mΩ，323（晶体管 2 和 3）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 10（晶体管 1 和 4）A，-10（晶体管 2 和 3）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 四漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.75mm |
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