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FDMB668P|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FDMB668P
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
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产品信息
数据列表 FDMB668P
产品相片 FDMB668P
PCN Obsolescence Multiple Devices 11/Mar/2013
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.1A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)35 毫欧 @ 6.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2085pF @ 10V
功率 - 最大值800mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-MLP,MicroFET?
供应商器件封装8-MLP,MicroFET(3x1.9)
产品目录页面1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FDMB668PTR
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