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制造商型号: FDI040N06
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
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产品信息
数据列表 FDI040N06
PCN Obsolescence Multiple Devices 27/Feb/2012
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)133nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)8235pF @ 25V
功率 - 最大值231W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
产品目录页面1608 (CN2011-ZH PDF)
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