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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FDG6332
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，双，N/P沟道，20V，0.7A/0.6A，SC-70-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET，双，N/P沟道，20V，0.7A/0.6A，SC-70-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 6（晶体管 2）ns，9（晶体管 1）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5（晶体管 1）ns，5.5（晶体管 2）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC V @ 4.5（晶体管 1），1.4 nC V @ -4.5（晶体管 2） | |
| 典型输入电容值@Vds | 113 pF @ 10 V（晶体管 1），114 pF @ -10 V（晶体管 2） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 封装类型 | SC-70 | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.3 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20（N 沟道）V、-20（P 沟道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 442（晶体管 1）mΩ，700（晶体管 2）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -0.6（P 沟道）A，0.7（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双漏极 | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 1mm |
询价