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| 型号/制造商 |
| FDFMA2P029Z ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| FDFMA2P029Z ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| FDFMA2P029Z ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| FDFMA2P029Z-F106 ON Semiconductor -20V -3.1A 95 O PCH ER T RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| 型号/制造商 |
| FDFMA2P029Z ON Semiconductor Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R (Alt: FDFMA2P029Z) RoHS: Compliant 搜索 |
| FDFMA2P029Z ON Semiconductor Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA2P029Z) RoHS: Compliant 搜索 |
| FDFMA2P029Z-F106 ON Semiconductor Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V -3.1A 95mOhm 6-Pin WDFN T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA2P029Z-F106) RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| FDFMA2P029Z_F106 ON Semiconductor -20V,-3.1A,95 OHM, PCH POWER TRENCH MOSFET & SCHOTTKY DIODE RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| FDFMA2P029Z ON Semiconductor -20V,-3.1A,95 OHM, PCH POWER TRENCH MOSFET & SCHOTTKY DIODE RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 |
| FDFMA2P029Z Fairchild Semiconductor Corporation
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| FDFMA2P029 Fairchild Semiconductor | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Ta） 1.4W（Tj） 6-MicroFET（2x2） 型号：FDFMA2P029Z 仓库库存编号：FDFMA2P029ZCT-ND 别名：FDFMA2P029ZCT <br> |  |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | FDFMA2P029 Fairchild Semiconductor | MOSFET P Channel 20V 6 Pin MicroFET 暂无PDF 查看详细 |
 | FDFMA2P029Z FAIRCHILD | FDFMA2P029Z 系列 20 V 95 mOhm 集成 P沟道 PowerTrench? Mosfet 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号： FDFMA2P029Z 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 739-6197 |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET P Channel 20V 6 Pin MicroFET
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC V @ -10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 540 pF V @ -10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2mm | |
| 封装类型 | MicroFET | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | -20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 141 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -3.1 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.75mm |