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FDD8882|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FDD8882
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
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产品信息
数据列表 FDD8882, FDU8882
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)11.5 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1260pF @ 15V
功率 - 最大值55W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
其它名称FDD8882-ND
FDD8882TR
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