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FDD6680AS ON Semiconductor MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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FDD6680AS ON Semiconductor N-Channel 30 V 55 A 10.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
FDD6680AS Fairchild Semiconductor Corporation
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Ta) 60W(Ta) TO-252 型号:FDD6680AS 仓库库存编号:FDD6680ASFSCT-ND 别名:FDD6680ASFSCT <br> | 无铅 |
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| 制造商零件编号: FDD6680AS 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 759-9103 |
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数据列表 | FDD6680AS |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench®, SyncFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 55A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 10.5 毫欧 @ 12.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FDD6680AS-ND FDD6680ASFSTR |