您现在的位置:首页 > FDB029N06
FDB029N06|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: FDB029N06
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
数据列表 FDB029N06
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.1 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)151nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9815pF @ 25V
功率 - 最大值231W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D²PAK
产品目录页面1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FDB029N06TR
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095