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FCA20N60S_F109|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FCA20N60S_F109
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 650V TO-3PN
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产品信息
产品相片 TO-3P-3,TO-247-3
PCN Assembly/Origin Wafer Fabrication 04/Feb/2013
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)260 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2250pF @ 25V
功率 - 最大值260W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN
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