您现在的位置:首页 > EPC1012
EPC1012|EPC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: EPC1012
制造商: EPC
描述: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
数据列表 EPC1012
产品相片 EPC1012
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品变化通告 EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011
视频文件 EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey
RoHS指令信息 Lead Free/RoHS Statement
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列eGaN®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)100 毫欧 @ 5A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)1.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)110pF @ 100V
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳4-LGA
供应商器件封装4-LGA(1.7x0.9)
产品目录页面1599 (CN2011-ZH PDF)
其它名称917-1006-2
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095