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EM6M1T2R|Rohm Semiconductor
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制造商型号: EM6M1T2R
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6
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产品信息
数据列表 EM6M1
产品相片 EMT6_EMT6 PKg
产品培训模块 MOSFETs
产品目录绘图 EM6 Series EMT-6
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装  8,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V,20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100mA,200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)13pF @ 5V
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装EMT6
产品目录页面1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称EM6M1T2RTR
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