  |
  |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： EM6K1T2R
制造商： ROHM
描述： 场效应管 双MOSFET EMT6 N沟道
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： ROHM
描述： 场效应管 双MOSFET EMT6 N沟道
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 双MOSFET EMT6 N沟道
- 晶体管极性: 双N沟道
- 电流, Id 连续: 10mA
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 8ohm
- 电压 @ Rds测量: 4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
- 功耗, Pd: 150mW
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: EMT
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装/箱盒: EMT6
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 晶体管类型: 小信号
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 100mA
- 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 100mA
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 5ohm
询价