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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： ECH8619-TL
制造商： Sanyo
描述： MOSFET,Cmplement-ch,Vds=+/-60V,1.3W,ECPH8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Sanyo
描述： MOSFET,Cmplement-ch,Vds=+/-60V,1.3W,ECPH8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 61（N 通道）ns，93（P 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10.5（P 通道）ns，11（N 通道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.8 nC @ 10 V（N 沟道），15 nC @ -10 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 560 pF @ 10 V（N 沟道），660 -10 pF @ V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 封装类型 | ECH 8 | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60（N 通道）V，-60（P 通道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 133（N 通道）mΩ，295（P 通道）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -2（P 通道）A，3（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 通用 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.9mm |
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