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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： ECH8609-TL
制造商： Sanyo
描述： 半导体,晶体管,MOSFET,ECH8609-TL-E,N沟道+P沟道,±30V/1.3W,ECH8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Sanyo
描述： 半导体,晶体管,MOSFET,ECH8609-TL-E,N沟道+P沟道,±30V/1.3W,ECH8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 43（N 通道）ns、65（P 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13（P 通道）ns、15（N 通道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V（N 通道）、14 nC @ -10 V（P 通道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 510 pF @ 10 V（N 通道）、550 -10 pF @ V（P 通道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 封装类型 | ECH 8 | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 15 瓦 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30（N 通道）V、-30（P 通道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 120（P 通道）mΩ、75（N 通道）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -4（P 通道）A、6（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 开关 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.9mm |
询价