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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： ECH8601R-TL-H
制造商： SANYO
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6.5A ECH8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： SANYO
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6.5A ECH8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6.5A ECH8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 6.5A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 23mohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.3V
- 功耗, Pd: 1.5W
- 封装类型: ECH
- 针脚数: 8
- 功耗, Pd: 1.5W
- 封装/箱盒: ECH8
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 6.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds 典型值: 20V
- 表面安装器件: SMD
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