型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
DMS2220LFDB-7 Diodes Inc ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
数据列表 | DMS2220LFDB |
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产品相片 | DFN2020B-6 |
其它图纸 | DFN2020B-6 Top DFN2020B-6 Side |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 二极管(隔离式) |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 95 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 632pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 6-DFN2020B(2x2) |
产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DMS2220LFDB7 DMS2220LFDBDITR |